STGD1100LT1G

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STGD1100LT1G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/周小姐/曹先生
电话：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
67849
onsemi
SOT-23-6 Thin, TSOT-
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STGD1100LT1G
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：高先生/曹先生/周小姐
电话：185208051481348786585213760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
20775
ON Semiconductor
25+
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

STGD1100LT1G
深圳市高创鑫电子科技有限公司
深圳市高创鑫电子科技有限公司
联系人：曾小姐
电话：0755-2330298015814019597
地址：深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西10楼C052房间
资质：营业执照
21000
onsemi
6-TSOP
2023+
-
原装正品现货，假1罚100

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1

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制造商
ON Semiconductor
功能描述
NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM - Tape and Reel
制造商
ON Semiconductor
功能描述
MOSFET NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM
制造商
ON Semiconductor
功能描述
REEL / NFET SC74 20V 3.3A 55MOHM

STGD1100LT1G 技术参数

STGD10NC60ST4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.65V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 开关能量:60μJ（开），340μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD10NC60SDT4 功能描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:18A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.65V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 开关能量:60μJ（开），340μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:18nC 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD10NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 62W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:62W 开关能量:55μJ（开），85μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19nC 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD10NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 20A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):- 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:60W 开关能量:31.8μJ（开），95μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD10NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 62W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:62W 开关能量:31.8μJ（开），95μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:19.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:14.2ns/72ns 测试条件:390V，5A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:22ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1 STGD3NB60SDT4 STGD3NC120H-1 STGD4M65DF2 STGD5H60DF STGD5NB120SZ-1 STGD5NB120SZT4 STGD6M65DF2 STGD6NC60H-1 STGD6NC60HDT4 STGD6NC60HT4 STGD7NB120S-1 STGD7NB120ST4 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4