STH140N6F7-2全国供应商 STH140N6F7-2资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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STH140N6F7-2
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
D2PAK/TO-263
25+
-
国产品牌，替代进口

STH140N6F7-2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
ST
H2PAK-2
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

STH140N6F7-2
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
26958
ST/意法
H2PAK-2
22+
-

STH140N6F7-2
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
66888
ST/意法
H2PAK-2
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

STH140N6F7-2
深圳市欧和宁电子有限公司
深圳市欧和宁电子有限公司
联系人：李先生
电话：0755-292759351581559886118576729816
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园6C18室
39800
ST
TO-263
新年份
-
一级代理全新原装现货特价！

STH140N6F7-2
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
H2Pak-2
18+
-
MOSFET N-CH 60V 80A ...

STH140N6F7-2
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
制造商
stmicroelectronics
系列
DeepGATE?，STripFET? VII
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
2700pF @ 25V
功率 - 最大值
110W
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装
H2Pak-2
标准包装
1

STH140N6F7-2 技术参数

STH-14 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-32 Hex Brass Zinc Plated Threaded Standoff 1500 pcs - 100 ea of 1/4", 3/8", 1/2", 3/4", 1" 制造商:keystone electronics 系列:- 包装:塑料柜零件状态:有效套件类型:4-40，6-32，8-32 六角形黄铜镀锌镙纹支座数值:1500 件 - 1/4"，3/8"，1/2"，3/4"，1"，各 100 件标准包装:1 STH130N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9.3 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:57nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3305pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH12N120K5-2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:690 毫欧 @ 6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:44.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH110N10F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH110N10F7-2 功能描述:MOSFET N CH 100V 110A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:110A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5117pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH-18 STH180N10F3-2 STH180N10F3-6 STH180N4F6-2 STH185N10F3-2 STH185N10F3-6 STH-19 STH2 STH-20 STH210N75F6-2 STH-22 STH240N10F7-2 STH240N10F7-6 STH240N75F3-2 STH240N75F3-6 STH245N75F3-6 STH250N55F3-6 STH250N6F3-6

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