STH4985

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说明
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STH4985
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
3840
STH
TSSOP-16
22+
-
原厂原装现货

STH4985HS
优势
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
23480
ST
SOP16
全新环保批次
-

STH4985HT
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
668880
STH
新封装
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

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您是不是要找： STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B

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STH4985 技术参数

STH410N4F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK-6 标准包装:1 STH410N4F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F7 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.1 毫欧 @ 90A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:141nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:11500pF @ 25V 功率 - 最大值:365W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:H2Pak-2 标准包装:1 STH400N4F6-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH400N4F6-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.15 毫欧 @ 60A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:404nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:20500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH3N150-2 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型供应商器件封装:H2PAK 标准包装:1 STH71G STH71W STH72B STH72G STH72W STH80N10F7-2 STHAFC36P0701901000 STHAFC36P0701902000 STHDLS101QTR STHDLS101TQTR STHDMI001ATTR STHDMI002ABTR STHS2375AM6F STHS2375LM6F STHS2377AM6F STHS4257A1M6F STHV STHV748QTR