配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STI120NH03L
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
TO-262
24+
-
全新原装正品现货特价

STI120NH03L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
I2PAK/TO-262
25+
-
国产品牌，替代进口

STI120NH03L
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
8000
ST/意法半导体
TO-262
22+
-
终端免费提供样品可开13%增值税发票

STI120NH03L
深圳市宝芯创电子有限公司
深圳市宝芯创电子有限公司
联系人：陈先生
电话：0755-83228629
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人，可开正规13%专
资质：营业执照
59990
ST/意法半导体
TO-262
17+
-
100%原装，诚信为本，等你咨询！

STI120NH03L
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
29995
ST/意法半
TO-262
08+
-
全新原装现货

STI120NH03L
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
5141
ST
TO-262
1301+
-
原装现货/特价

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-channel 30V - 0.005ohm - 60A - TO-220 / D2PAK / I2PAK STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion

STI120NH03L 技术参数

STI11NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK（TO-262）标准包装:50 STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:620V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA 供应商器件封装:I2PAK 标准包装:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:DAC 分辨率（位）:7 b 采样率（每秒）:- 数据接口:串行电压源:模拟和数字电压 - 电源:1.65 V ~ 1.95 V， 2.3 V ~ 5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:20-UFBGA，FCBGA 供应商器件封装:20-倒装芯片标准包装:1 STHVDAC-253MTGF3 功能描述:DAC 7 bit SPI 16-Flipchip (1.7x1.7) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:DAC 分辨率（位）:7 b 采样率（每秒）:- 数据接口:SPI 电压源:模拟和数字电压 - 电源:2.3 V ~ 5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:16-UFBGA，FCBGA 供应商器件封装:16-覆晶（1.7x1.7）标准包装:1 STI13005-1 STI13NM60N STI14NM50N STI14NM65N STI150N10F7 STI15NM60N STI15NM60ND STI16N65M5 STI16NM50N STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N STI19NM65N STI200N6F3 STI20N60M2-EP