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STK314561101

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STK314561101 技术参数

STK30N2LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 30A POLARPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.9 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2290pF @ 25V 功率 - 最大值:5.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PolarPak? 供应商器件封装:PolarPak? 标准包装:1 STK28N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:5.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PolarPak? 供应商器件封装:PolarPak? 标准包装:1 STK282-270-E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:CLASS-D POWER STAGE - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / CLASS-D POWER STAGE STK282-170-E 功能描述:音频放大器 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 产品:General Purpose Audio Amplifiers 输出类型:Digital 输出功率: THD + 噪声: 工作电源电压:3.3 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TQFP-64 封装:Reel STK22N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2500pF @ 25V 功率 - 最大值:5.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:PolarPak? 供应商器件封装:PolarPak? 标准包装:1 STK404-120NGEVB STK404-140N-E STK404-140NGEVB STK412-750-E STK-417143B-1B STK-41B143A06-IRK-1A STK433-040GN-E STK433-040N-E STK433-040NGEVB STK433-060N-E STK433-060NGEVB STK433-070GN-E STK433-100N-E STK433-130N-E STK433-130NGEVB STK433-240F-E STK433-330N-E STK433-840N-E