STP80NF12FP

配单专家企业名单

型号
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数量
厂商
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批号
价格
说明
操作

STP80NF12FP
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
ST
TO-220F
10+
-
原装现货优势库存

STP80NF12FP
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
16800
ST/意法
TO-220F
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

STP80NF12FP P80NF12FP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：马先生
电话：19166264056
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
24680
ST
TO-220F
新批次
-
原装正品假一罚十

STP80NF12FP
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐
电话：1916620305713760272017
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
69800
ST
TO-220F
22+
-
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特...

STP80NF12FP
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
ST
TO-220F
15+
-
原装正品，假一罚十

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1

您是不是要找： STP80NF55 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP STP80NF55-08 STP80NF55-08AG STP80NF55L-06 STP80NF70 STP80PF55 STP85N3LH5

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全称
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-220FP/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

STP80NF12FP 技术参数

STP80NF12 功能描述:MOSFET N-CH 120V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:120V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80NF10FP 功能描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:189nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STP80NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:182nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP80NF03L-04 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 毫欧 @ 40A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:110nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 STP85NF55 STP85NF55L STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z STP8NK80Z STP8NK80ZFP STP8NK85Z STP8NM50 STP8NM50FP STP8NM50N STP8NM60 STP8NM60D STP8NM60FP STP8NM60N STP8NM60ND STP8NS25