STW20N90K5全国供应商 STW20N90K5资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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批号
价格
说明
操作

STW20N90K5
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
6005
ST/意法半导体
TO-247-3
22+
-
原装正品现货可开增值税发票

STW20N90K5
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
357314
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW20N90K5
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
357314
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STW20N90K5
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

STW20N90K5
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
357314
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

STW20N90K5IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：许先生
电话：18898761413
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
3200
ST/意法
TO-247-3
24+
-
优势供应品质保障可开13点发票

STW20N90K5
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
114
STM
TO-247-3
1917+
-
全新原装现货，可开13%票

STW20N90K5
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
1980
ST MICROELECTRONICS
价格优势
2410
-
全新原装渠道现货

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功能描述
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? K5
包装
管件
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
900V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
250 毫欧 @ 10A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3
标准包装
30

STW20N90K5 技术参数

STW20N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1345pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW2040 功能描述:TRANS NPN 500V 20A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 电压 - 集射极击穿（最大值）:500V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:500mV @ 1.2A，6A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 6A，5V 功率 - 最大值:125W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW19NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW19NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 STW19NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:250 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW21N150K5 STW21N65M5 STW21N90K5 STW21NM50N STW21NM60N STW21NM60ND STW220NF75 STW22N95K5 STW22NM60N STW23N80K5 STW23N85K5 STW23NM50N STW23NM60N STW23NM60ND STW240N10F7 STW24N60DM2 STW24N60M2 STW24NK55Z

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