STW3-15128-064

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STW3-15128-064
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生
电话：1376027201718520805148
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
26014
Amphenol Aerospace
25+
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功能描述
环形MIL规格连接器
RoHS
否
制造商
Amphenol
MIL 类型
MIL-DTL-5015
系列
97
产品类型
Receptacles
外壳大小
28
外壳类型
Potting
触点类型
Socket (Female)
位置/触点数量
14
插入安排
28-2
触点材料
Copper Alloy
触点电镀
Silver
安装角
Straight
安装风格
Wire
端接类型
Solder
电流额定值

STW3-15128-064 技术参数

STW30NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2800pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW30NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2700pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW30NM60D 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2520pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW30NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 27A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:115 毫欧 @ 13.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2740pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW30NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1597pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW-350F188PR01-04 STW35N60DM2 STW35N65M5 STW36N55M5 STW36N60M6 STW36NM60N STW36NM60ND STW37N60DM2AG STW38N65M5 STW38N65M5-4 STW38NB20 STW3N150 STW3N170 STW40100C STW40N20 STW40N60M2 STW40N60M2-4 STW40N65M2