STW3N170

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说明
操作

STW3N170
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
联系人：李林
电话：0755-8251939113714584659李先生（可开13%增票，3
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
资质：营业执照
13740
ST
TO-247
24+
-
全新原装正品现货特价

STW3N170
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247
25+
-
国产品牌，替代进口

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1

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功能描述
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
制造商
stmicroelectronics
系列
PowerMESH??
零件状态
有效
标准包装
30

STW3N170 技术参数

STW3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:1500V（1.5kV）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29.3nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW38NB20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 38A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:38A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:65 毫欧 @ 19A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:95nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3800pF @ 25V 功率 - 最大值:180W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，MDmesh? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW36NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:110 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:80.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW4102IQT STW42N60M2-EP STW42N65M5 STW43N60DM2 STW43NM50N STW43NM60N STW43NM60ND STW45N60DM2AG STW45N65M5 STW45NM50 STW45NM50FD STW45NM60 STW46NF30 STW47NM60ND STW48N60DM2 STW48N60M2 STW48N60M2-4 STW48NM60N