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VLS252010HBT-2R2M

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  • VLS252010HBT-2R2M
    VLS252010HBT-2R2M

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  • 汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司
    汕头市潮南区海特旺电子贸易有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0754-84492320

    地址:广东省汕头市潮南区陈店镇溪口九斗花园旁

  • 254000

  • TDK

  • SMD

  • 24+

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  • 进口原装公司现货

  • VLS252010HBT-2R2M
    VLS252010HBT-2R2M

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • TDK

  • SMD

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  • VLS252010HBT-2R2M
    VLS252010HBT-2R2M

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

    电话:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室

  • 2500

  • TDK Corporation

  • N/A

  • N/A

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  • VLS252010HBT-2R2M-LR
    VLS252010HBT-2R2M-LR

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  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人:唐先生

    电话:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质:营业执照

  • 4569

  • TDK

  • 252010

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  • 原装现货/特价

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VLS252010HBT-2R2M 技术参数
  • VLS252010ET-R68N-CA 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 62 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):62 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 VLS252010ET-R68N 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.05A 62 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:680nH 容差:±30% 额定电流:2.05A 电流 - 饱和值:2.05A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):62 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 VLS252010ET-R47N-CA 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 2.65A 46 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±30% 额定电流:2.65A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):46 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 VLS252010ET-R47N 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 46 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:470nH 容差:±30% 额定电流:2.5A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):46 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 VLS252010ET-6R8M-CA 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 710mA 532 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 类型:绕线 材料 - 磁芯:铁氧体 电感:6.8μH 容差:±20% 额定电流:710mA 电流 - 饱和值:680mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻(DCR):532 毫欧最大 不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 105°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安装(最大值):0.039"(1.00mm) 标准包装:1 VLS252010HBX-2R2M-1 VLS252010HBX-3R3M-1 VLS252010HBX-4R7M-1 VLS252010HBX-6R8M-1 VLS252010HBX-R24M-1 VLS252010HBX-R33M-1 VLS252010HBX-R47M-1 VLS252010HBX-R68M-1 VLS252010T-100M VLS252010T-1R0N VLS252010T-1R5N VLS252010T-2R2M VLS252010T-3R3M VLS252010T-4R7M VLS252010T-6R8M VLS252010T-R47N VLS252010T-R68N VLS252012CX-100M
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