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VND5E008MY-E

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VND5E008MY-E 技术参数

VND5E008AYTR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 Double Ch High Side 41V 8mOhm 76A 2uA RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND5E008AY-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 Double Ch High Side 41V 8mOhm 76A 2uA RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND5E008ASP-E 制造商:STMicroelectronics 功能描述:ABD VIPOWER - Rail/Tube VND5E006ASPTR-E 功能描述:功率驱动器IC Dual High-Side Drvr 41V 5mOhm 100A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube VND5E006ASP-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 Double Ch High Side 41V 5mOhm 100A 2uA RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VND5E025AYTR-E VND5E025BK-E VND5E025BKTR-E VND5E025LK-E VND5E025LKTR-E VND5E025MK-E VND5E025MKTR-E VND5E050ACJTR-E VND5E050ACKTR-E VND5E050AJ-E VND5E050AJTR-E VND5E050AK-E VND5E050AKTR-E VND5E050ASOTR-E VND5E050J-E VND5E050JTR-E VND5E050K-E VND5E050KTR-E