VNS1NV04DR

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VNS1NV04DR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1145
STM进口原
SOP8
0702+
-
全新原装现货

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VNS1NV04DR 技术参数

VNS1NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS1NV04DP-E 功能描述:MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS1NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS14NV04TR-E 功能描述:电源开关 IC - 配电 N-Ch 40V 12A OmniFET RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 VNS14NV04PTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube VNS30-2020 VNS30-2021 VNS30-2031 VNS30-2050 VNS30-2051 VNS3NV04D VNS3NV04D13TR VNS3NV04D-E VNS3NV04DP-E VNS3NV04DPTR-E VNS3NV04DTR-E VNS3NV04-E VNS3NV04PTR-E VNS3NV04TR-E VNS40-2031 VNS40-2050 VNS40-2051 VNS50-2031