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ZLTMM-115-69-G-D-519

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ZLTMM-115-69-G-D-519
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：骆小姐
电话：18124020586
地址：深圳市龙岗区雅宝路1号星河world， A栋2203A
96521
Samtec Inc.
最新批次
-
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制造商
Samtec Inc
功能描述
CONN ELEVATED SHRD HDR HDR 30 POS 2MM SLDR ST TH - Bulk

ZLTMM-115-69-G-D-519 技术参数

ZLR12GI12V3 功能描述:ZMOTION LENS FRESNEL LR 1.2 V3 制造商:zilog 系列:ZMOTION? 零件状态:有效配件类型:透镜配套使用产品/相关产品:ZMOTION? 传感器标准包装:1 ZLPM8012JB20TC 功能描述:MOSFET LNB Power Management U-QFN4040-20 T&R 3K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZLPM8011JB20TC 功能描述:MOSFET LNB Power Management U-QFN4040-20 T&R 3K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZLPM8010JB20TC 功能描述:MOSFET LNB Power Management U-QFN4040-20 T&R 3K RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZLPM3316Q16TC 功能描述:编码器、解码器、复用器和解复用器 QUAD O/P LNB POWER MANAGEMENT RoHS:否制造商:Micrel 产品:Multiplexers 逻辑系列:CMOS 位数: 线路数量（输入/输出）:2 / 12 传播延迟时间:350 ps, 400 ps 电源电压-最大:2.625 V, 3.6 V 电源电压-最小:2.375 V, 3 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-44 封装:Tray ZM00056-KIT ZM1.UBC10 ZM1.WALL ZM10B70A01 ZM10B70E01 ZM10D20D01 ZM10E10A01 ZM11.SIDE ZM115C70F501-G ZM115D10S501-GA ZM12.SIDE ZM13.SIDE ZM14.SIDE ZM15.SIDE ZM-1543-R ZM160B60A01 ZM160C10A01 ZM160C10F501