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ZXMN2A02X8

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  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
    深圳市科思奇电子科技有限公司

    联系人：林小姐/欧阳先生

    电话：0755-832450508278593918923762408微信同号

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  • ZXMN2A02X8
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人：唐先生

    电话：0755-8322569219129381337（微信同号）

    地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 865000

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  • ZXMN2A02X8TA
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  • 深圳市芯脉实业有限公司
    深圳市芯脉实业有限公司

    联系人：曹先生

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    地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室

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  • Diodes Incorporated

  • 8-TSSOP, 8-MSOP (0.1

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  • ZXMN2A02X8TA
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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人：刘先生

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    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质：营业执照

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  • 百分百原装正品假一赔十 电话010-62...

  • ZXMN2A02X8TA
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  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

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    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 10000

  • ZETEX

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  • 原装正品，假一罚十

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
    深圳市欧和宁电子有限公司

    联系人：李先生

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  • Diodes

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  • 一级代理原装现货假一罚十!

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

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    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

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  • 假一罚十，百分百原装正品

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人：雷春艳

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    资质：营业执照

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  • ZETEX

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  • 全新原装现货

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人：李先生

    电话：13760200702

    地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质：营业执照

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  • 制造商
  • DIODES
  • 制造商全称
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN2A02X8 技术参数
  • ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 4A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23-6 标准包装:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标准包装:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:无货 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:350 毫欧 @ 2.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252-3 标准包装:1 ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:4 个 N 通道（H 桥） FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.4A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 1.8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-223-8 供应商器件封装:SM8 标准包装:1 ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA ZXMN2B03E6TA ZXMN2B14FHTA ZXMN2F30FHQTA ZXMN2F30FHTA ZXMN2F34FHTA ZXMN2F34MATA ZXMN3A01E6TA ZXMN3A01E6TC ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTC ZXMN3A01ZTA ZXMN3A02N8TA ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8TC ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TC
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