THS4211DRB

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2/2页 40条/页共72条
上一页 1 2

您是不是要找： THS4211DRBR THS4211DRBT THS4211DRBTG4 THS4211DRG4 THS4211EVM THS4211EVM-UG THS4215D THS4215DGK THS4215DGKR

THS4211DRB PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

THS4211DRB PDF下载

制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

THS4211DRB 技术参数

THS4211DR 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4211DGNRG4 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4211DGNR 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4211DGN 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4211DGKRG4 功能描述:高速运算放大器 Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed RoHS:否制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube THS4215DGKRG4 THS4215DGN THS4215DGNR THS4215DGNRG4 THS4215DR THS4215DRBR THS4215DRBT THS4215EVM THS4221D THS4221DBVR THS4221DBVT THS4221DBVTG4 THS4221DG4 THS4221DGK THS4221DGKR THS4221DGN THS4221DGNR THS4221DGNRG4