UCC27532EVM-538全国供应商 UCC27532EVM-538资料|PDF Datasheet|价格【TI 德州仪器】

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说明
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UCC27532EVM-538
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
3000
TI
QFP
20+
-
优势货源,原装正品

UCC27532EVM-538
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
16+
-
百分百原装假一罚十

UCC27532EVM-538
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
5000
Texas Instruments
标准封装
15+
-
百分百原装假一罚十

UCC27532EVM-538
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：王金英
电话：077-8326952815602945519
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
1200
TI
原厂原装
17+
-
TI现货商！香港库存！

UCC27532EVM-538
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
9900
TI
18+
-
原装进口，诚信经营

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您是不是要找： UCC27532QDBVRQ1 UCC27533DBVR UCC27533DBVT UCC27536DBVR UCC27536DBVT UCC27537DBVR UCC27537DBVT UCC27538DBVR UCC27538DBVT

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制造商
Texas Instruments
功能描述
UCC27532EVM-538 - Boxed Product (Development Kits)

UCC27532EVM-538 技术参数

UCC27532DBVT 功能描述:功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27532DBVR 功能描述:功率驱动器IC 2.5-5A 35VMX VDD FET IGBT Sgl Gate Dvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27531QDBVRQ1 功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 32 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，7ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6 供应商器件封装:SOT-23-6 标准包装:1 UCC27531EVM-184 功能描述:UCC27531 - Power Management, High and Low Side Driver (External FET) Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:- 零件状态:有效主要用途:电源管理，高低压侧驱动器（外部 FET）嵌入式:否使用的 IC/零件:UCC27531 主要属性:隔离辅助属性:- 所含物品:板标准包装:1 UCC27531DR 功能描述:IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:高压侧或低压侧通道类型:单路驱动器数:1 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 32 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1.2V，2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2.5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，7ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 UCC27611DRVR UCC27611DRVT UCC27611OLEVM-203 UCC27710D UCC27710DR UCC27710EVM-005 UCC27712D UCC27712DR UCC27712EVM-287 UCC27712QDQ1 UCC27712QDRQ1 UCC27714D UCC27714DR UCC27714EVM-551 UCC2800D UCC2800DG4 UCC2800DTR UCC2800DTRG4