UPD48288236FF-E33-DW1-SSA

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制造商
Renesas Electronics Corporation
功能描述
UPD48288236 Series 288 Mbit (8 M x 36) 400 MHz Low Latency DRAM - TFBGA-144

UPD48288236FF-E33-DW1-SSA 技术参数

UPD44647366AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E25-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647366AF5-E22-FQ1 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD44647186AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) UPD5716GR-A UPD5716GR-E1-A UPD5731T6M-EVAL-A UPD5738T6N-A UPD5738T6N-E2-A UPD5738T6N-EVAL-A UPD5740T6N-EVAL-A UPD5902T7K-EVAL-A UPD5904T7K-E2-A UPD5904T7K-EVAL-A UPD60510BF1-HN4-M1-A UPD60510F1-HN4-M1-A UPD60610GA-GAM-M1-AX UPD60611GA-GAM-M1-AX UPD60620AGK-GAK-M1-AX UPD60621AGK-GAK-M1-AX UPD65654GF-209-3BA-A UPD65880GB-061-8ES-A