UCC27524DGNR

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功能描述
MOSFET Dual,5A,Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

UCC27524DGNR 技术参数

UCC27524DGN 功能描述:功率驱动器IC Dual,5A,Hi-Spd Lo- Side Pwr MOSFET Drvr RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27524D 功能描述:功率驱动器IC Dual,5A,Hi-Spd Low Side Pwr Driver RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube UCC27524AQDRQ1 功能描述:IC GATE DVR 2CH LOW SIDE 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 UCC27524AQDGNRQ1 功能描述:IC GATE DVR 2CH LOW SIDE 8MSOP 制造商:texas instruments 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:有效驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:7ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-MSOP-PowerPad 标准包装:1 UCC27524ADR 功能描述:IC GATE DVR LO-SIDE DL 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V 逻辑电压?- VIL，VIH:1V，2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:5A，5A 输入类型:非反相上升/下降时间（典型值）:7ns，6ns 工作温度:-40°C ~ 140°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 UCC27525DSDT UCC27526DSDR UCC27526DSDT UCC27527DSDR UCC27527DSDT UCC27528D UCC27528DR UCC27528DSDR UCC27528DSDT UCC27528QDRQ1 UCC2752D UCC27531D UCC27531DBVR UCC27531DBVT UCC27531DR UCC27531EVM-184 UCC27531QDBVRQ1 UCC27532DBVR