ZAG3/8ASB

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

没找到与 " ZAG3/8ASB " 相关的供应商

您可以：

1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索

2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复发布紧急采购

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： ZAHI3-01 ZAHI3-01-99 ZAHI3-01-NA ZAHI3-01-UNI ZAIDM-01 ZALM-301-1-B ZALM-301-1C-B ZAMP001H6TA ZAMP001H6TC

ZAG3/8ASB PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZAG3/8ASB 技术参数

ZAEI-01-UNI 功能描述:SMARTZONE GATEWAY EPA126 SUPPOR 制造商:panduit corp 系列:SmartZone? 零件状态:在售配件类型:网关特性:- 配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 ZABG6002Q20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6002JB20TC 功能描述:MOSFET 4-Stage FET LNA BIAS Controller RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG6001Q20TC 功能描述:MOSFET FIXED BIAS GNERATORS RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZABG4002JA16TC 功能描述:MOSFET LOW POWER 4 STAGE FET LNA BIAS CTRLR RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube ZAMP002H6TA ZAMP002H6TC ZAMP003H6TA ZAMP003H6TC ZAP-1G ZAP-1R ZAP-2R ZAP-2W ZAP-2Y ZAP-B ZAPDUMODKIT ZAP-R ZAP-W ZAQ-1 ZAQ-2 ZAQ-22 ZAQ-3 ZARKMS-01