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英飞凌K15H1203 / IKW15N120H3 完美替代K15T120 (IKW15T120) / K15T1202 (IKW15N120T2) IGBT单管
 
英飞凌K15H1203 / IKW15N120H3是英飞凌第三代1200V高开关速度IGBT单管, 能够完美替代K15T120 / K15T1202 ,专用于焊接、太阳能发电逆变器和UPS等IGBT高频应用领域。
 
IKW15N120H3 / K15H1203 特点:
?最高结温度为175℃
?非常低VCEsat
?低开
关损
?较高的开关坚韧性
?内置快速恢复反并联二极管
?根据JEDEC1合格为目标
?无铅引脚电镀符合RoHS标准

应用范围:
?UPS(不中断电源/不间断电源)
?焊接器
?太阳能发电用逆变器
 
K15H1203( IKW15N120H3) / K15T120 (IKW15T120) / K15T1202 (IKW15N120T2) 参数比较说明:
Type
VCE
IC
VCE(sat)
Tvj=
5°C
Tvj
(max)
Marking
Package
IKW15N120H3
1200V
15A
2.05V
175°C
K15H1203
PG-TO247-3
IKW15T120
1200V
15A
1.7V
150°C
K15T120
PG-TO247-3
IKW15N120T2
1200V
15A
1.75V
175°C
K15T1202
PG-TO247-3
 
最大额定值比较说明:
 
Parameter
Symbol
Value
Unit
IKW15N120H3
IKW15T120
IKW15N120T2
Collector-emitter voltage
VCE
1200
1200
1200
V
DC collector current
TC = 25°C
TC = 100°C
IC
30
15
30
15
30
15
A
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax
ICpul s
60
45
60
Turn off safe operating area
VCE 1200V, Tj 150°C
-
60
45
60
Diode forward current
TC = 25°C
TC = 100°C
IF
15
7.5
30
15
25
15
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax
IFpul s
60
45
60
Gate-emitter voltage
VGE
±20
±20
±20
V
Short circuit withstand time2)
VGE = 15V, VCC 1200V, Tj 150°C
tSC
10
10
10
us
Power dissipation
TC = 25°C
Pt ot
217.0
105.0
110
235
W
Operating junction temperature
Tj
-40...+150
-40...+150
-40...+175
°C
Storage temperature
Tstg
-55...+150
-55...+150
-55...+150
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s
Wavesoldering only, temperature on leads only
-
260
260
260
Mounting torque,M3 screw
Maxim of mounting processes:3
M
0.6
-
-
Nm
 

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深圳市亨力拓电子有限公司是国外多家著名电子厂商在中国的代理商及特约经销商,经营世界知名品牌 IC。 公司目标:成为世界性的品牌 IC 独立分销商,为客户提供质优价廉的IC产品和完善的技术支持。 业务范围:经营世界知名品牌 IC (只经营全新正品货)、定期运货、定期购货、技术服务;兼营电容、电阻、电感。 服务对象:电子 、军工、通讯、仪器仪表、工业控制等多种行业。 经营理念:坚持〝信誉第一、品质第一、交货及时、薄利多销、服务至上〞的原则,为客户提供全方位优质服务。 核心文化:互信互惠、共同发展、库存经营、诚信为本。
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